通知公告

关于申报上海市“科技创新行动计划” 2010年度集成电路设计专项的通知

2009-10-2763编辑:摄影:

 

各学院(部):

        上海市科委已发布2010年度集成电路设计专项指南,申报工作也已启动,具体内容如下。

         一、 研究专题

        专题一:芯片设计的前沿技术研究和关键技术突破

        研究目标:结合国家重要战略,研发具有自主知识产权的关键核心芯片,实现芯片及核心器件设计、测试方法等前沿技术的突破。

        研究内容:
        1. 研究用于高端服务器内存模组的寄存器缓冲芯片,支持SSTE32882标准,支持多种工作电压,支持800MHZ-1866MHz工作速率。
        2. 研究基于65nm及以下标准CMOS工艺的高性能、低功耗16核以上的异构处理器芯片的设计并完成应用示范,工作频率700MHz以上,且功耗不高于100pJ/op。
        3. 研究基于标准CMOS工艺的SOI技术,开发面向片上高速光互连的核心器件硅基光电调制器,实现20Gbit/s的高速传输速率。
        4. 研究应用于14Bits到20Bits分辨率范围模数转换器和14Bits到18Bits分辨率范围的数模转换器的测试方法,模/数转换器(A/D)IP硬核达到100MSPS、不低于14位精度,24位精度时30MSPS;数/模转换器(D/A)IP硬核达到200MSPS、不低于14位精度。
        5. 研究下一代宽带高速无线通信的射频收发等核心芯片,符合LTE/IMT-A/802.15.3c等标准。

        专题二:芯片设计的应用技术优化和实现

        研究目标:以企业为主体,面向通讯、多媒体、医疗器械、导航等领域,对芯片设计的应用技术难点进行攻关,形成系统解决方案,并实现产业应用。

        研究内容:

        1. 针对电信运营商的需求,开发支持主流加密算法和国家认证的面向手机移动支付的核心SoC芯片,并实现商业应用。
        2. 研究高频宽带放大器,汽车电子高精度运算放大器,并应用于产业。
        3. 开发基于高性能处理噐核的SOC芯片,工艺在90nm或以下,工作频率500MHz以上,要求在低功耗、高集成度、多核互连等方面能有关键技术突破,并适应于通讯、多媒体处理等领域并实现产业化应用。
        4. 开发万兆(10G)以太网无源光网络接入控制芯片,实现高速双向传输和交换的功能,支持1000个以上队列的动态带宽管理,兼容1Gb/s速率的EPON方案的内核协议,并实现产业化。
        5. 开发面向人体医疗智能检测的植入式集成电路芯片及系统解决方案,并形成临床应用。
        6. 开发支持北斗2/GPS双模的高精度低功耗导航核心芯片并实现应用。

        二、研究期限

        2012年9月30日前完成。

        三、申请条件

        1、申报单位应具备较强技术实力和基础,具备实施项目研究必备条件及匹配资金;多家单位联合申请时,应在申请材料中明确各自工作和职责,并附上合作协议或合同。
        2、专题二“芯片设计的应用技术优化和实现”需以企业为主体申报,具备产业化实施条件,鼓励产学研合作。
        3、所有附件要求上传到网上。

        三、申请方式

        1、本指南公开发布。申请者可从“上海科技”网站(http://www.stcsm.gov.cn)上“在线受理科研计划项目可行性方案”,并下载相关表格《上海市科学技术委员会科研计划项目课题可行性方案(2010版)》,按照要求认真填写。
        2、课题责任人年龄不限,鼓励通过课题培养优秀的中青年学术骨干。课题责任人和主要科研人员,同期参与承担国家和地方科研项目数不得超过三项。
        3、已申报2010年市科委其它类别项目者应主动予以申明,未申明者按重复申报不予受理。
        4、每一课题的申请人可以提出不超过2名的建议回避自己课题评审的同行专家名单(名单需随课题可行性方案一并提交)。
        5、申请人请于11月13日前在线提交可行性方案,并打印书面可行性方案一式4份(申请材料A4双面打印、附件单面打印)交至科技处,由科技处统一上报。
        6、《单位基本信息》、《依托单位意见》和《项目承担企业(单位)知识产权情况表》请上学校科技处网站“文档下载”区下载相关文件,按其内容统一填写。
 

科技处联系人:黄华杰                  联系电话:55270566

 
科技处
2009-10-27
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